24小时服务热线
19337881562
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 - Arrow
2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是 2023年3月13日 概述. 碳化硅器件生产过程跟传统的硅基器件基本一致，主要分为衬底制备、外延层生长、晶圆制造以及封装测试四个环节：. 衬底：高纯度的碳粉和硅粉 1:1 混合制成碳化硅粉，通过单晶生长成为碳化硅晶锭，然后对其进 碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎
了解更多
探究碳化硅诞生背后的奇妙过程
沉淀过程： 形成的碳化硅材料沉积在基底或表面上。 热处理： 沉积材料经过热处理过程。这一步骤对于将原材料转化为结晶碳化硅至关重要。 结晶和生长 在热处理过程中，碳化硅会发生结 2022年12月1日 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘等组成，如图2所示。 SiC离子注入 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
了解更多
碳化硅 - 百度百科
2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。2024年4月25日 碳化硅的生产工艺流程主要包括以下几个步骤： 1. 原料准备：一般使用石英砂和焦炭作为原料。 2. 混合：将石英砂和焦炭按一定比例混合均匀。碳化硅的生产工艺流程是怎样的？ - 知乎
了解更多
碳化硅制造中的环节和设备 - 电子工程专辑 EE
2023年9月22日 1、芯片制造. 碳化硅SBD与MOSFET的基本制造方法相同，SBD结构简单、制造工艺相对简单，MOSFET的制造工艺相对复杂，以结构最简单的横向、平面型MOSFET为例说明如下： （1）图形化氧化膜。 清洗晶 2022年11月2日 一. 碳化硅器件制造的工艺流程. 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化 SiC碳化硅器件制造那些事儿 - 电子工程专辑 EE
了解更多
碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进 2022年12月1日 半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为三代：第一代半导体材料主要是高纯度硅，目前被广泛使用；第二代化合物半导体材料包括砷化镓和磷化铟；第三代化合物半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表。碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望 ...一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
了解更多
碳化硅 - 百度百科
2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。 2024年2月29日 目前国内可以使用液相法生产4-6英寸的碳化硅晶体。凭借节能降本的优势，未来液相法或将实现进一步产业化。04 晶锭加工 将制得的碳化硅晶锭使用 X射线单晶定向仪进行定向，之后磨平、滚圆，去除籽晶面，去除圆顶 碳化硅SiC衬底生产工艺流程及方法 - 知乎
了解更多
碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
2024年10月15日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。以上就是制作碳化硅芯片的详细工艺流程。这个过程 需要高精度设备和技术，每个步骤都需要精心设计和操作。制作出高质量的碳化硅芯片对于提高电子产品的性能有着重要的意义。 2. 切割基板：将大块基板切割成适当大小的小块，以便后续加工 ...制作碳化硅芯片的工艺流程 - 百度文库
了解更多
碳化硅陶瓷制作工艺 - 百度文库
碳化硅陶瓷制作工艺- 烧结后的碳化硅陶瓷坯体需要进行加工和修整，以获得所需的形状和尺寸。常用的加工方法包括机械加工、电火花加工和激光加工等。加工过程中需要注意避免过度加工和损坏陶瓷材料的表面质量。修整是指对陶瓷材料进行表面处理 ...2019年3月27日 碳化硅制作工艺： 由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。常见的方法是将石英砂与焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食盐和木屑，置入电炉中，加热到2000°C左右高温，经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉。碳化硅的制作工艺是什么？ - 百度知道
了解更多
碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术 - 电子工程专辑 EE ...
2023年8月8日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是 2019年6月18日 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种碳化硅晶圆减薄的制作方法。背景技术目前碳化硅功率器件大多是基于300-400μm厚度碳化硅晶圆制作的垂直型器件，如SBD二极管、MOSFET、BJT、PiN二极管、JFET、IGBT等。过厚的基板造成了较高的衬底电阻，使得衬底压降占据了通态压降的较大比重，对于电压等级 ...一种碳化硅晶圆减薄的制作方法与流程 - X技术网
了解更多
什么是碳化硅（SiC）陶瓷？用途及其制作方法？ - 知乎
2023年9月12日 加热后，这些晶体会在较低温度下沉积到石墨上，这一过程称为“雷利法”。雷利法：在此过程中，花岗岩坩埚通常通过感应加热到非常高的温度，以使碳化硅粉末升华。较低温度的石墨棒悬浮在气体混合物中，这本质上允许纯碳化硅沉积并形成晶体。2021年7月30日 简介：本技术涉及复合材料陶瓷制备技术领域，具体涉及一种无压烧结碳化硅防弹陶瓷及其配方技术，按重量份计，包含以下组分：碳化物A96.5‑98.5份、碳化物B1.1‑1.8份、硼化物0.1‑1份、树脂12‑18份、氧化物1‑3 无压烧结碳化硅配方生产工艺技术制作流程
了解更多
碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产
2023年9月27日 天岳先进专注于碳化硅单晶衬底的研发、生产和销售，当前公司的主要产品包括2-6英寸的半绝缘型衬底和导电型衬底，较早在国内实现了4英寸半绝缘型碳化硅衬底的产业化，同时完成了6英寸导电型碳化硅衬底的研发并开 2021年8月5日 浙江大学--先进半导体研究院--宽禁代半导体材料（碳化硅、氮化镓）以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、物联 先进半导体研究院----碳化硅芯片怎么制造？（科普视频转发）
了解更多
碳化硅衬底市场群雄逐鹿 碳化硅衬底制备环节流程 - 知乎专栏
2023年3月28日 碳化硅性能优异， 衬底为最核心环节：碳化硅材料性能突破硅基极限， 相较于传统硅基器件，碳化硅功率器件的功率密度、开关效率和器件损耗上都有大幅度优化。碳化硅产品生产流程从材料端衬底与外延的制备开始，经历 芯片的设计与制造， 再到模块的封装后，最终流向下游应用市场。碳化硅单晶的制作工艺-3. 晶片加工碳化硅单晶片的加工是制备器件的关键环节，主要包括切割、打磨、抛光、腐蚀和清洗等过程。首先，对碳化硅单晶块材料进行切割，制备出所需要尺寸和形状的基片。然后，对切割后的基片进行表面打磨和抛光处理 ...碳化硅单晶的制作工艺 - 百度文库
了解更多
碳化硅MOSFET器件及其制作方法与流程 - X技术网
2018年6月22日 光刻过程中的环境和人为因素对于形成比较短的沟道时的影响比较大，因此沟道长度在0.5μm以下时一般采用沟道自对准工艺。 ... 本发明还提供一种上述碳化硅MOSFET器件的制作 方法，包括以下步骤： 第一步：清洗外延片，在外延片上刻蚀出一个 ...2020年12月11日 碳化硅石墨坩埚制作过程，手工制作一天的产量还不低 2020年12月11日发布 10:22 碳化硅石墨坩埚制作过程，手工制作一天的产量还不低 ...碳化硅石墨坩埚制作过程，手工制作一天的产量还不低_腾讯视频
了解更多
碳化硅衬底生长过程__
2022年3月18日 碳化硅衬底制备技术壁垒高，成本远高于硅衬底，制备过程对温度和压力的控制要求高，其生长温度在 2300℃以上；长晶速度慢，7 天的时间大约可生长 2cm 碳化硅晶棒。碳化硅衬底的制作流程包括原 2022年3月7日 碳化硅的生产过程 和其他功率半导体一样，碳化硅MOSFET产业链包括长晶-衬底-外延-设计-制造-封装环节 ... 由于碳化硅材料不能直接在衬底上制作功率器件，需额外在外延层上制造各种器件。因此衬底制作完成后，经过外延工艺在衬底上生长出 ...碳化硅产品的应用方向和生产过程 - 知乎
了解更多
碳化硅MOSFET器件及其制作方法与流程 - X技术网
2018年6月22日 本发明属于功率半导体技术领域，具体是一种涉及沟道自对准工艺的碳化硅MOSFET器件器件及其制作方法。背景技术碳化硅(SiliconCarbide)材料作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高和电子饱和漂移速度高等特点，使其在大功率、高温及高频电力电子领域 ...2023年10月27日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本 碳化硅晶圆产业链的核心“外延”技术的详解； - 知乎
了解更多
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 - 知乎
2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工2021年4月6日 当进行碳化硅长晶时，在内腔3第一部分6放置原料5，在内腔3第二部分7的顶部上盖13内壁设籽晶12，密封内腔3，按照ptv法制备碳化硅单晶；单晶生长过程中，合理设置第一石墨材料如内桶10和第二石墨材料如外桶11的 一种碳化硅单晶生长用坩埚、装置及应用的制作方法
了解更多
第三代半导体——碳化硅材料之制程与分析-EDN 电子技术设计
2022年7月28日 产业链所有组件的第一步皆始于晶圆，上游晶圆厂扮演了提供高质量晶圆以制作组件之重要基础角色。 ... 是将SiC晶种浸入含碳基溶剂之硅熔液当中，当较低温的晶种从高温硅溶液拉出时，SiC长晶过程中就会形成在晶种上并会生成晶碇 ...碳化硅mosfet工艺制备过程 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，它具有高电压、高频率、低损耗等优点，被广泛应用于电力电子、光伏逆变器、电动汽车等领域。碳化硅MOSFET的制备过程主要包括以下几个步骤： 1.硅化碳化硅：在高温下将硅和碳化硅mosfet工艺制备过程 - 百度文库
了解更多
CVD法制作碳化硅外延片过程图 - 行业研究数据 - 小牛行研
2024年1月30日 图15：CVD法制作碳化硅外延片过程 图 1.500-L.700°C 资料来源：瀚天天成，华宝证券研究创新部 其他行业调研报告 新发展格局系列报告之二十三—扩大高水平开放，护航高质量发展 - 2024-09-10 ...制作完成的芯片需要进行性能评估与优化。包括对芯片的电学性能、热学性能和可靠性进行测试和分析，根据测试结果对制作过程进行优化，提高芯片的性能和稳定性。 4. 制作器件图案 在SiC薄膜上，使用光刻技术和化学腐蚀法，按照设计要求制作出器件图案。制作碳化硅芯片的工艺流程 - 百度文库
了解更多
碳化硅晶圆制造难在哪？做出200mm的凤毛麟角 - 电子工程 ...
2021年8月3日 碳化硅(SiC)衬底已在电动汽车和一些工业应用中确立了自己的地位。然而，近来氮化镓(GaN)已成为许多重叠应用的有力选择。了解这两种衬底在大功率电路中的主要区别及其各自的制造考虑因素，或许能为这两种流行的复合半导体的未来带来启示。2014年4月25日 利用计算机对化学气相沉积法制备碳化硅过程进行模拟，不仅可以缩短工艺参数的优化周期、降低成本，还可以深入理解沉积过程，对沉积过程的实验研究具有重要的指导意义。化学气相沉积制备碳化硅过程的数值模拟 - 豆丁网
了解更多
陶瓷雕铣机：碳化硅陶瓷结构件的制作过程与优势
2024年7月4日 陶瓷雕铣机，作为现代精密加工技术的杰出代表，其在碳化硅陶瓷结构件的制作过程中发挥着至关重要的作用。碳化硅陶瓷，以其高硬度、高耐磨性、高热稳定性和良好的化学稳定性等独特优势，广泛应用于航空航天、能源、半导体等高端制造领域。
了解更多