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揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道_澎湃
2021年7月5日 碳化硅衬底的主要制备工序为，将高纯的碳化硅粉在特殊温度下，采用物理气相传输法（PVT）生长不同尺寸的碳化硅晶锭，再经过切割、研磨等多道工序产出碳化硅衬底。2023年11月30日 日商发布了一种全新的SiC晶圆划片工艺，与传统工艺相比，这项技术可将划片速度提升100倍，而且可以帮助SiC厂商增加13%的芯片数量。某厂的划线裂片SnB工艺可以一次性解决这些问题。SnB工艺包括两个过程：划 碳化硅新工艺：提速、升数、降本 - 知乎
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【中国科学报】1升5元！大尺寸碳化硅气凝胶实现闪速合成
2024年9月26日 中国科学院理化技术研究所研究员李江涛团队与清华大学教授董岩皓课题组合作，利用硅粉-聚四氟乙烯反应剂之间的快速燃烧合成反应，实现了大尺寸碳化硅气凝胶的闪速 2024年9月3日 国家第三代半导体技术创新中心（南京）组织核心研发团队和全线配合团队，历时 4 年，不断尝试新工艺，最终建立全新工艺流程，突破“挖坑”难、稳、准等难点，成功制造出沟 我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术：历时 4 ...
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碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 人民网
2021年7月21日 今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生 ...1 天前 IT之家 10 月 23 日消息，一汽红旗昨日宣布，由研发总院新能源开发院功率电子开发部自主设计的碳化硅功率芯片完成首次流片。 图源红旗研发新视界 IT之家获悉，该款碳化硅功率 红旗碳化硅功率芯片完成首次流片，实现全链条主导开发 - IT之家
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多方协同破卷出新 助力国产碳化硅行业高质量发展_中国工业 ...
2024年6月29日 记者了解到，半导体、碳化硅一直是国家的重点关注的高科技行业之一，从“十三五”开始，先进半导体领域的发展被明确写入规划中，而“十四五”出台后，围绕新一代半导体、 2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
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碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产
2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何 2024年9月3日 国家第三代半导体技术创新中心（南京）组织核心研发团队和全线配合团队，历时 4 年，不断尝试新工艺，最终建立全新工艺流程，突破“挖坑”难、稳、准等难点，成功制造出沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片。我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术：历时 4 ...
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「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方
2024年3月7日 碳化硅（SiC）作为一种先进的半导体材料，在多个关键领域中具有重要应用。随着技术进步和市场的需求增长，碳化硅晶圆的制造工艺和精密加工技术变得至关重要。文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术，以及 2023年12月31日 SiC产业概述 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表。 什么是半导体？ 官话来说，半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 但导电性能的强弱，并非是体现半导体材料价值的最直观属性，半导体材料的导电和绝缘属性之间的切换，才是构成半导体产业 第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述_碳化硅半导体-CSDN博客
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系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇_材料
2019年6月13日 二是碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。三是碳化硅器件高端检测设备被国外所垄断。 4. 碳化硅功率模块2024年3月7日 作为供应链中的关键一环，碳化硅晶圆的制造工艺正与精密加工技术紧密结合，不断突破低良率和安全性能不足的技术障碍，推动其进入晶圆的新时代！碳化硅晶圆制造 精密加工技术解决方案 精密磨削技术解决方案「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现 ...
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SiC新工艺：速度提升100倍，芯片增加13%-第三代半导体风向
2023年11月22日 众所周知，SiC半导体非常硬，其硬度仅次于金刚石，这就导致将芯片从碳化硅 ... 近日，一家日本厂商发布了一种全新的SiC晶圆划片工艺，与传统工艺相比，这项技术可将划片速度提升100倍，而且可以帮助SiC厂商增加13%的芯片数量。2023年9月26日 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能 ...碳化硅封装——三大主流技术！ - 电子工程专辑 EE Times China
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碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 为了获得纯碳化硅的致密陶瓷制品，以便最大限度地利用碳化硅本身的特性，所以发展了自结合反应烧结法和热压法制造工艺。 自结合碳化硅，就是将α-SiC与碳粉混合后，用各种成型方法成型，然后将坯体置于硅蒸气中加热，使坯体中的碳粉硅化变成β-SiC，而将α-SiC的颗粒紧密结合成致密制品。2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 ...三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） - 知乎
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碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus - 腾讯网
2023年7月14日 因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底 2016年3月9日 在众多的半导体材料中，碳化硅(Silicon Carbide, 简称SiC) 以其良好的物理和电学性能成为继承锗、硅、砷化镓之后新一代微电子器件和电路的半导体材料。表1列出了几种重要半导体材料的基本特性比较，从中我们可以看出SiC与传统的半导体材料相比 ...深入探讨碳化硅工艺：半导体材料的新一代继承者 - 世强硬 ...
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Microsoft Word - 4_20-06-1741-X191728盛况.doc - CSEE
2020年6月18日 %PDF-1.6 %âãÏÓ 356 0 obj > endobj 383 0 obj >/Filter/FlateDecode/ID[9C17C5D665127E4FB9BB87D085DFF9C7>]/Index[356 49]/Info 355 0 R/Length 127/Prev 596971/Root 357 ...2022年8月24日 导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新 ... 生产工艺流程及周期 碳化硅 生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬 ...新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）_器件_工艺流程_外延
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碳化硅(SIC)晶片减薄工艺对表面损伤影响的详解； - 知乎专栏
2024年4月16日 本文分享了基于碳化硅晶片的磨削减薄工艺技术，从加工过程 及基础原理出发，通过研究磨削减薄工艺中四个主要参数（砂轮粒度、砂轮进给率、砂轮转速和工作台转速）， 对晶片表面的损伤，如崩边和磨痕的影响，提出前退火减薄工艺，以提高晶片加工质量，降低晶片表 2020年10月1日 摘要 研究了一种通过β-α相变制备重结晶碳化硅的新工艺。样品由碳和 β-SiC 粉末混合物制备，首先在 1500°C 下用液态硅渗透以形成高密度的 β-SiC 预制棒，然后将其进一步加热至 2200°C。当β-SiC颗粒在2200°C转变为α-SiC时，α-SiC通过消耗β-SiC ...β-α相变再结晶碳化硅新工艺,Ceramics International - X-MOL
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金属表面喷涂碳化硅：耐高温抗腐蚀新材料，制造能源领域 ...
2024年8月15日 工艺过程： 通过电弧放电产生高温等离子体，温度通常可达15,000°C以上。碳化硅粉末在等离子体的作用下被加热至熔融或半熔融状态，同时被高速气流携带至基材表面。当熔融的碳化硅颗粒撞击基材表面时，迅速冷却并凝固，形成致密的涂层。优势：2023年9月27日 与传统硅器件不同，碳化硅器件不能直接制作在衬底上，需要在衬底上生长一层晶相同、质量更高的单晶薄膜 ... 同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
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碳化硅生产工艺 - 百度文库
1.合成碳化硅的化学成分 (一)合成碳化硅的国家标准(GB/T 2480—1981)见表5。 表3碳化硅的国家标准（GB/T 2480—1981） 粒度范围 化学成分/% SiC（不少于） 游离碳（不多于） Fe2O3（不多于） 黑碳化硅 12号至80号 98.5 0.20 0.60 100号至180号 98.00 0.302024年2月28日 碳化硅作为材料已有百年历史，商业化也已超过30多年。1824年，瑞典科学家在人工合成金刚石的实验中意外发现了碳化硅这一物质，其硬度比钻石小但光彩更亮；1955年，LELY提出生长高品质碳化硅的方法，从此将碳化硅作为重要的电子材料；1987年，科锐制造了出世界上第一块商用碳化硅衬底，并把它 ...碳化硅：渗透新能源车半壁江山 第三代半导体百亿级市场拉开 ...
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揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道_澎湃
2021年7月5日 碳化硅晶体生长难度高，工艺是核心。碳化硅 性能有明显优势，却始终未能转换成市场规模，最主要的原因是碳化硅衬底制造困难 ... 碳化硅：中国半导体新机遇 从碳化硅本身来看，其对传统硅基功率器件的替代是顺 2023年3月13日 而碳化硅衬底的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，主要用于去除研磨后衬底表面的损伤、进行平坦化处 理，目前较为主流的是使用化学机械抛光。外延工艺效率低：碳化硅的气相同质外延一般要在 1500℃以 碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎
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详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 - 知乎
2023年4月28日 2)团聚金刚石双面研磨工艺 国内部分衬底厂家也导入了一种新工艺，团聚金刚石研磨工艺。该工艺良率更高，成本更低，精磨损伤层更低，更有利于抛光。该工艺也分粗磨和精磨两步。这个工艺，国内比较知名是深圳中机，其团聚产品能覆盖粗磨，精磨等全工序。2017年8月18日 碳化硅生产新工艺,碳化硅制备加工配方设计,碳化硅技术专利全集.pdf,碳化硅生产新工艺与制备加工配方设计及技术专利全集 主编：国家专利局编写组 出版发行：中国知识出版社2011 年 规格：全四卷16 开精装+1 张CD 光盘 定价：1180 元 优惠价 ...碳化硅生产新工艺,碳化硅制备加工配方设计,碳化硅技术专利 ...
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碳化硅功率模块封装技术综述 - 知乎
2022年7月22日 摘要碳化硅作为宽禁带半导体的代表，理论上具有极其优异的性能，有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT，大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅 IGBT 模块的2023年9月25日 本文介绍了一种新的碳化硅（SiC）晶圆清洗方法。我们发现在RCA清洗中，氟化氢（HF）溶液浸渍处理会破坏SiC，因此设计了一种新的不使用HF的清洗方法，并将清洗过程减少到三步。这种新方法的特点是使用了过渡金属络合物。【推荐】碳化硅晶圆清洗的新方法 - 电子工程专辑 EE Times ...
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新能源｜碳化硅产业链研究（行业篇） - 知乎
2022年8月18日 供给端：技术工艺壁垒较高，国产供应链持续扩产。 衬底材料和器件为碳化硅产业链较关键环节，PVT法为当前主流生产方法。国产厂商与欧美厂商差距普遍在5-8 年以上，国内项目陆续投产，产能有望快速释放。需要密切跟踪下游客户验证情况 ...2024年2月1日 效率极低，并且很难获得高表面质量的SiC衬底片,因此,亟需开发先进的衬底加工工艺。SiC ... 因此,有必要开发更适用于SiC材料的晶体加工新方法, 其中激光剥离技术备受看好。激光切割也称为热裂法,这项技术的核心是激光加工和晶体剥离,根据激光 ...半导体碳化硅(SiC) 衬底加工技术进展详解； - 知乎专栏
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碳化硅单晶生长取得新进展！ - Zhejiang University
2024年6月4日 价格昂贵的碳化硅衬底是利用切、磨、抛等工艺加工碳化硅单晶而得。 如果生长出更厚的碳化硅单晶，那不仅能减少籽晶的用量，缩短单位厚度晶体的生长时间、提高生产效率，还能减少能耗和辅材用量，从而显著降低碳化硅衬底的成本。
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